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利用SIMS进行器件失效分析*第六章pn结的特性测试扩展电阻剖面分布法（SRP）二次离子质谱法(SIMS)掺杂浓度分布测量方法1)扩展电阻剖面分布法（SRP）图6.4两种外延片电阻率分布图6.5基区和发射区的扩散分布2）二次离子质谱(SIMS)法基本原理
利用能量为1～20KeV的离子束照射在固体表面上，激发出正、负离子（溅射），利用质谱仪对这些离子进行分析，测量离子的质荷比和强度，从而确定固体表面所含元素的种类和数量。仪器外观SIMS主要应用于对掺杂、杂质沾污和材料成份的定量分析。由于它具有极高的灵敏度（10ppb），特别适合于对半导体材料的分析。两种测量方法比较：（1）扩展电阻法适用结深较大的情况（>0.1um），需要通过磨角使结点暴露出来，使其相对于水平面易于观察和测量。测量原理与装置比较简单，易于操作。（2）二次离子质谱法适合结深较浅的材料，是一种测量精度很高且无损的测量方法。但测量装置复杂，设备昂贵，需专门人员操作。*
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