半导体器件及其形成方法.pdfVIP

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有若干分立排布鳍部；在衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；在伪栅结构上形成至少一个分立排布的硬掩膜层；在硬掩膜层的侧壁上形成牺牲侧墙；在相邻的牺牲侧墙之间形成牺牲层；去除牺牲侧墙以及牺牲侧墙覆盖的伪栅结构，形成开口；在开口内填充满介质层，介质层的顶部与硬掩膜层的顶部齐平；这种形成方法将形成的介质层作为伪栅结构的侧墙，不会在鳍部上形成有介质层，保证了形成的鳍部的表面质量，从而使得形成的半导体器件的性能波动小，良率得到提高，在形成源漏时，