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本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法,本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备,在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后,注入一定浓度的B离子到AAcorner,之后移除垫氮化层,在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区,根据设计对有源区进行源区、漏区、沟道和栅极制备,形成NMOS或者PMOS。由于本发明提前在设计为NMOS区域四周的浅沟槽隔离结构内注入B离子,使得后续在该有源区制备阱区时,能够避免有源区AA与ST
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747535A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202410191068.6
(22)申请日2024.02.21
(71)申请人合肥晶合集成电路
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