- 1、本文档共11页,其中可免费阅读10页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种全介电超表面结构,其从下到上依次包括SiO2衬底、Si层;其中,所述Si层上设置有两个圆柱形气孔,所述两个圆柱形气孔垂直贯穿所述Si层,所述两个圆柱形气孔的半径R和r,均选自48‑52nm,且R和r不相同;所述全介电超表面结构还包括平面波入射光源;所述入射光源的偏振方向与两个圆柱形气孔圆心连线方向相互垂直;所述全介电超表面结构周围的折射率≥1。本发明克服了如其他结构所具有的缺陷:如由于增强的电场被束缚在结构内部,而外部空间的电场强度较低,使得折射率变化的影响难以被放大,从而导致低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117590503A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311533054.X
(22)申请日2023.11.17
(71)申请人湖南科技大学
地址411201
文档评论(0)