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2024-01-31 发布于四川
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本申请提供一种阵列基板和阵列基板的制备方法，阵列基板包括层叠设置的衬底、第一金属层、第二缓冲层、金属氧化物半导体层、绝缘层和源漏极层，第一金属层包括金属氧化物晶体管的第一栅极，金属氧化物半导体层包括金属氧化物晶体管的第一有源层，第一有源层的迁移率大于阈值且包括耐刻蚀材料，源漏极层包括金属氧化物晶体管的第一源极和第一漏极，其中，绝缘层中形成第一过孔和第二过孔，第二源极和第二漏极分别通过第一过孔和第二过孔与第一有源层连接，绝缘层和第二缓冲层中共同形成第三过孔，第一源极和第一漏极中的其中一者通过第三过

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117476667A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202310256065.1

(22)申请日2023.03.07

(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有

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