GB∕T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法.pdf

ICS31.200

CCSL56GB

中华人民共和国国家标准

GB/T42838-2023

半导体集成电路

霍尔电路测试方法

Semiconductorintegratedcircuits-

MeasuringmethodofHolzercircuit

2023-08-06发布2023-12-01实施

国家市场监督管理总局4非

国家标准化管理委员会也叩

GB/T42838-2023

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目。吕

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第I部分：标准化文件的结构和l起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。

本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、南京中旭电子科技有限公司、合肥美菱物联科技有

限公司、北京做电子技术研究所、东莞市国梦电机有限公司。

本文件主要起草人：尹航、刘芳、何万海、唐食明、张帆、刘德广。

I

GB/T42838-2023

半导体集成电路

霍尔电路测试方法

1范围

本文件规定了半导体集成电路霍尔电路（以下称为器件）电特性测试方法。

本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文

件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注目期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改J单）适用于

本文件。

GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

工作点磁感应强度magneticoperatepoint

B叫’

在工作点上垂直穿过单位丽积的磁力线的数量。

3.2

释放点磁感应强度magneticreleasepoint

B民I'

在释放点上垂直穿过单位面积的磁力线的数量。

3.3

回差returndifference

Bu

在仪表全部测量范国内，被测量值上行非IJ下行所得到的两条特性曲线之间的最大偏差。

3.4

输出上升时间outputrisetime

t,

电路输出自低电平变为高电平所需的时间。

3.5

输出下降时间outputfalltime

tr

电路输出由高电平变为低电平所需的时间。

GB/T42838-2023

4－般要求

4.1测试环境要求

除另有规定外，电测试环境掘j主要求：25！~℃；环境气压86