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本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式,半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而,所述方法包括:将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而,所述方法包括:在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后,将含有氯的第2气体供给到所述收容部内,而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111540675A
(43)申请公布日
2020.08.14
(21)申请号20191
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