《半导体物理学》习题库合集.docx

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料，不作为权威性指导和指引，仅供参考

1、本文档共13页，其中可免费阅读4页，需付费89金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

《半导体物理学》习题库

第1章思考题和习题

300K时硅的晶格常数a=5.43?，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？

综述半导体材料的根本特性及Si、GaAs的晶格构造和特征。

画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。

以硅为例，简述半导体能带的形成过程。

证明本征半导体的本征费米能级E

位于禁带中心。

简述迁移率、集中长度的物理意义。

室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，假设无视禁带宽度随温度的变化，求：

计算77K、300K、473K3个温度下的本征

注册安全工程师持证人

铁路、地铁、高速公路、房建及风电等相关领域安全管理资料

咨询Ta 进入空间

领域认证该用户于2023年05月18日上传了注册安全工程师

更多 >