AP8N10LI 8.0A 100V SOT23-6L 深圳恒锐丰科技.pdf

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AP8N10LI

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP8N10LIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures有司

V=100VI8A

DSD科公

丰限

RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V(Type:80mΩ)

锐有司

Application技

恒科公

Automativelighting丰限

深Loadswitch锐有司

Uninterruptiblepowersupply技

恒科公

市丰限

圳锐有

深恒技司

PackageMarkingandOrderingInformation科公

ProductID市PackMarkingQty(PCS)

圳丰限

AP8N10LISOT23-6LAP8N10LI3000

深锐有司

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)技

恒科公

SymbolParameterRatingUnits

市丰限

VDSDrain-SourceVol

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