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AP6G03S
30VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP6G03Susesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasa司
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
公
GeneralFeatures限
V=30VI10A
DSD有司
技
RDS(ON)<25mΩ@VGS10V公
科
V=-30VI-7.6A
DSD丰限
RDS(ON)<-48mΩ@VGS10V有
锐技司
恒科公
市丰限
Application
圳锐有
深Batteryprotection恒技司
Loadswitch市科公
Uninterruptiblepowersupply丰限
圳锐有
PackageMarkingandOrderingInformation
深技司
ProductIDPack恒MarkingQty(PCS)
市科公
AP6G03SSOP-8AP6G03SXXXYYYY3000限
圳丰
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
深C锐有司
Rating
恒技
SymbolParamet
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