AP15N10Y-L 15A 100V TO-252 深圳恒锐丰科技.pdf

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AP15N10Y-L

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

AP15N10Y-LseriesarefromAdvancedPowerinnovated

designandsiliconprocesstechnologytoachievethe

lowestpossibleon-resistance

andfastswitchingperformance.Itprovidesthedesigner

withanextremeefficientdeviceforuseinawiderange

ofpowerapplications.限

GeneralFeatures技司

V=100VI=15A

DSD科公

丰限

RDS(ON)<120mΩ@VGS10V有

锐司

V=100VI=15A

DS恒D技公

市科

RDS(ON)<135mΩ@VGS10V丰限

圳有

深Application锐技司

Batteryprotection恒科公

市丰限

Loadswitch圳锐有

Uninterruptiblepowersupply恒技司

市o科公

AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)

圳j丰限

Symbol深Parameter锐RatingUnits司

VDSDrain-SourceVoltage恒100V公

VGSGate-SourceVoltage市+20V

丰限

DrainCurrent,VGS@10V

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