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AP7N65DIY
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP7N65D/YissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
司
whichreducetheconductionloss,improveswitching
公
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
限
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
有
miniaturizationandhigherefficiency.司
GeneralFeatures技公
科限
丰
V=650VI=7A
DSD有
锐（Type：1.0Ω）司
RDS(ON)1.2Ω@VGS=10V技
恒科公
市
Application丰限
圳锐有
深UninterruptiblePowerSupply(UPS)技司
恒公
PowerFactorCorrection(PFC)科
市丰限
圳锐有
深技司
PackageMarkingandOrderingInformation
恒公
ProductID市Pack科Marking限Qty(PCS)
AP7N65D圳TO-252-3L丰AP7N65DXXXYYYY2500
锐有
AP7N65Y深TO-251-3LAP7N65YXXXYYY4000司
恒技
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C市科公
Value
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