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电子科技大学微电子器件习题
RevisedbyLiuJingonJanuary12,2021
第二章PN结
填空题
1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3,则室温下该区的
平衡多子浓度p与平衡少子浓度n分别为(
p0p0
)和(
)。
2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带(
)电荷,N区一侧带(
)电
荷。内建电场的方向是从()区指向()区。
3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。由此方
程可以看出,掺
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