电子科技大学微电子器件习题(1).docx

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电子科技大学微电子器件习题

RevisedbyLiuJingonJanuary12,2021

第二章PN结

填空题

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3,则室温下该区的

平衡多子浓度p与平衡少子浓度n分别为(

p0p0

)和(

)。

2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带(

)电荷,N区一侧带(

)电

荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。由此方

程可以看出,掺

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