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公开了半导体器件。所述半导体器件包括:基底;下部有源图案,与基底间隔开并且在第一方向上延伸;上部有源图案,在下部有源图案上,上部有源图案与下部有源图案间隔开并且在第一方向上延伸;栅极结构,在基底上,栅极结构在与第一方向相交的第二方向上延伸;以及切割图案,在基底上,切割图案在第一方向上延伸以切割栅极结构。栅极结构包括:下部栅电极,下部有源图案穿透下部栅电极;上部栅电极,连接到下部栅电极,并且上部有源图案穿透上部栅电极;以及绝缘图案,在切割图案的一侧上,绝缘图案沿着第二方向与上部栅电极一起布置。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117135899 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202310524591.1
(22)申请日 2023.05.10
(30)优先权数据
10-2022-0065510
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