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一种SiC MOSFET高效散热低工艺复杂度的集成微扰流柱散热结构.pdfVIP

一种SiC MOSFET高效散热低工艺复杂度的集成微扰流柱散热结构.pdf

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    本发明公开了一种SiCMOSFET高效散热低工艺复杂度的集成微扰流柱散热结构，包括DBC基板、Pinfin散热器以及散热器外壳；所述DBC基板包括陶瓷层，所述陶瓷层的上层设置有第一铜箔，下层设置有第二铜箔，所述第二铜箔上刻蚀有若干微扰流柱，所述第二铜箔下层设置有焊料层；所述Pinfin散热器设置在DBC基板的下侧，所述Pinfin散热器上设置有Pinfin散热器进水口和Pinfin散热器出水口；所述散热器外壳设置在Pinfin散热器的下侧，所述散热器外壳上设置有散热器外壳进水口和散热器外壳出水

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096121 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311280654.X (22)申请日 2023.09.28 (71)申请人 绍兴市通越宽禁带半导体研究院 地址

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