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本申请提供一种静电保护器件,涉及半导体技术领域。该静电保护器件包括第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区;第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区位于P阱内,第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区位于第一N阱内,第二N型重掺杂区一部分位于P阱内,另一部分位于第一N阱内,P阱和第一N阱邻接且均位于P型衬底内;P型衬底上设有栅极结构,栅极结构、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成晶体管。随着静电电流的增大,第二P型重掺杂区与P阱所形成的PN结先击穿,即晶体管
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113540074 A
(43)申请公布日 2021.10.22
(21)申请号 202110808125.7
(22)申请日 2021.07.16
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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