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半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。
两种类型的三极管; 结构特点：;二、三极管的电流放大作用;3、实际偏置电路;三极管的电流分配关系：
IE = IB + IC 而且 IC 》IB ， △IC 》△IB
IC = ? IB ； IE =(1+ ?) IB ；
iC = ? iB ； iE = (1+ ?) iB ；;1、输入特性;截止区;四、主要参数;第五节 基本放大电路;二、放大器的组成;C1 +;三、静态分析（ ui = 0 , 各部分电压、电流均为直流);Vi=0;四、动态分析（ ui ≠ 0);ui=Umsin?t;五、波形失真与静态工作点的关系;（1）失真原因
RB很大，使得静态工作点
太低，位于三极管截止区；;2、饱和失真 （IB太大，接近ICS） ;（1）失真原因
RB太小，使得静态工作点过高，
( IB太大)，位于或靠近三极管饱和区
使得 IC = ICES ；;六、静态工作点的稳定;温度 IC IERE UBE 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。
两种类型的三极管; 结构特点：;二、三极管的电流放大作用;3、实际偏置电路;三极管的电流分配关系：
IE = IB + IC 而且 IC 》IB ， △IC 》△IB
IC = ? IB ； IE =(1+ ?) IB ；
iC = ? iB ； iE = (1+ ?) iB ；;1、输入特性;截止区;四、主要参数;第五节 基本放大电路;二、放大器的组成;C1 +;三、静态分析（ ui = 0 , 各部分电压、电流均为直流);Vi=0;四、动态分析（ ui ≠ 0);ui=Umsin?t;五、波形失真与静态工作点的关系;（1）失真原因
RB很大，使得静态工作点
太低，位于三极管截止区；;2、饱和失真 （IB太大，接近ICS） ;（1）失真原因
RB太小，使得静态工作点过高，
( IB太大)，位于或靠近三极管饱和区
使得 IC = ICES ；;六、静态工作点的稳定;温度 IC IERE UBE
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