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本发明提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法,涉及硅单晶生产技术技术领域,在晶棒进入等径拉制时,通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制,本发明通过温度变化,保证晶体的结晶速率能够下降,从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率,使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢,使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短,并且在保证不会发生晶变的情况下,一方面,使得砷的挥发作用小于其分凝作用,使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布,进而晶棒电阻率不会发生反翘;另一方面,使得单晶电阻率
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115110144 A
(43)申请公布日 2022.09.27
(21)申请号 202210947356.0
(22)申请日 2022.08.09
(71)申请人 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
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