磁性隧道结及其制作方法、磁性随机存储器.pdfVIP

磁性隧道结及其制作方法、磁性随机存储器.pdf

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本公开提供一种磁性隧道结及其制作方法、磁性随机存储器,磁性隧道结包括:基底,基底包括自由层;自旋增强层,设置于基底上,自旋增强层具有垂直磁各向异性,且自旋增强层的能量壁垒小于自由层的能量壁垒。如此,在对磁性隧道结进行写入操作时,在外加电场的作用下,自旋增强层的磁化矢量方向在自由层发生磁矩翻转之前确定为与参考层的磁化矢量方向相反,如此,自由层能够在自旋增强层的自旋力矩以及参考层的自旋力矩的协同作用下发生翻转,从而提高了电荷自旋转换效率,使得自由层能够更容易地被翻转,进而提高了自旋转移力矩效率,同时

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116709892 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202210174547.8 (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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