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本发明公开了一种多沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法,该碳化硅MOSFET器件包括第一、第二沟槽,第一导电类型衬底、外延层和源区,第二导电类型阱区。沿垂直于xz平面的方向通过刻蚀形成第一、第二沟槽,第一、第二沟槽沿x方向贯穿器件有源区。于第一、第二沟槽中形成栅介质和栅电极,正向导通工作条件下,栅电极、栅介质以及第二导电类型阱区形成了五条不同位置的沟道,有效增大了沟道宽度。本结构通过引入沟槽结构以增大沟道宽度,同时规避了沟槽结构固有的栅介质易击穿问题。通过增大沟道宽度,在不损害击穿特性的前提下
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116682859 A
(43)申请公布日 2023.09.01
(21)申请号 202310971536.7 H01L 29/10 (2006.01)
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