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本发明公开了一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法,涉及到半导体材料技术领域,包括带有降温结构的高温加热炉、坩埚以及坩埚盖,还包括密封罩,所述密封罩靠近开口端的内腔壁上突出设有密封环,且所述密封环位于所述坩埚盖与所述坩埚连接缝隙处下方,所述密封罩上安装有与其内腔相通的连接管,且所述连接管通过连接件与贯穿所述高温加热炉的排气管进行密封连接,所述排气管位于所述高温加热炉外壁的部位上安装有排气单向阀,所述密封罩的内腔顶部固定有支撑件。本方法基于传统的固相合成方法,并借鉴气相合成原理,通过改变烧料坩埚的长径
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116675229 A
(43)申请公布日 2023.09.01
(21)申请号 202310654992.9 F27B 14/10 (2006.01)
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