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本实用新型提供一种半导体封装结构,半导体封装结构包括:重新布线层;芯片,倒装键合于重新布线层的上表面;电连接结构,位于重新布线层的上表面;塑封层,位于重新布线层的上表面,且将芯片及电连接结构塑封;第一天线层,位于塑封层的上表面;具有第二天线层的引线框架,位于塑封层上,并于塑封层上形成空气腔;第一天线层位于空气腔内,且位于第二天线层的下方,与第二天线层具有间距;焊球凸块,位于重新布线层的下表面。本实用新型的半导体封装结构中,空气的介质损耗极小,对天线信号的损耗为零,可以有效降低第一天线层及第二天线
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210182380 U
(45)授权公告日
2020.03.24
(21)申请号 20192
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