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本实用新型涉及一种硅通孔倒装芯片与引线键合芯片的集成封装结构，包含基板、闪存芯片和主控芯片；所述基板上设置有U形通孔，U形通孔的两端各设置有一颗闪存芯片，闪存芯片倒装在基板上，闪存芯片上具有芯片硅通孔，两个闪存芯片的芯片硅通孔分别与U形通孔的两端配合；U形通孔两端的闪存芯片的顶面齐平，主控芯片通过粘结薄膜粘贴在U形通孔两端的闪存芯片上；本方案将闪存芯片倒装在基板上，并配合硅通孔技术，可以提高闪存容量；并将主控芯片粘贴在闪存芯片上，用引线键合技术与基板连接，使主控芯片与闪存芯片封装在一个结构内，降
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219553627 U
(45)授权公告日 2023.08.18
(21)申请号 202320046805.4
(22)申请日 2023.01.09
(73)专利权人 太极半导体（苏州）有限公司
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