对比ADI两代TD-SCDMA射频IC得到的启示.docVIP

对比ADI两代TD-SCDMA射频IC得到的启示.doc

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对比ADI两代TD-SCDMA射频IC得到的启示   TD-SCDMA即将商用,在基带芯片方面,展迅、凯明、T3G、重邮等本土企业开展得如火如荼,但是与基带芯片配合的 射频芯片一直是国内3G产业的薄弱环节。目前已有一些解决方案:锐迪科推出支持HSDPA的TD/GSM双模芯片(RDA8206);鼎芯TD射频芯片(射频收发器CL4020+模拟基带CL4520)实现系统级HSDPA传输;广晟推出TD/GSM双模芯片(RS1012)。有人评述这三家公司的TD射频芯片:“射频方面,锐迪科和鼎芯都强调CMOS工艺的先进性(我想主要是低成本优点,广晟的RS1012采用BiCMOS工艺);广晟和锐迪科采用TD/GSM双模方案,对于未来2年~3年双模方式将并存更具现实意义(鼎芯的CL4020是TD单模方案)。”相对于这些比较,我们更希望深入了解射频芯片的设计问题。也许,从ADI公司两代TD射频芯片方案(第一代参见图1;第二代芯片参见图2)的对比中,我们会有一些收获。      TD射频芯片面临的挑战与绝大多数射频IC面临的挑战是一样的:首先,必须满足性能指标,并有一定的冗余,因为要考虑系统中其它元件的制造容限;其次,尺寸与功率必须一代代不断提高;第三,整个无线   电设备中的外部元件数量必须有所减少。注意到在图1中,发射芯片和接收芯片是分立的两颗芯片,而很多本土产商提供收发器集成的方案。ADI公司射频和无线系统部的Doug Grant解释,集成总是伴随着风险,因此我们的第一代器件(AD6541与AD6547) 是作为独立的发射器与独立的接收器而研制的,每种器件满足目标性能的概率都较高;此外,我们开发的这些器件可以用于TD-SCDMA和W-CDMA两种应用中:在W-CDMA中由于接收器与发射器同时ADI,因此存在另外的问题。不过,在我们的最新接收器产品(用于W-CDMA的 AD6551“Othello-3”以及用于TD-SCDMA的AD6552“Othello-3T”)中,将发射器与接收器集成在一个芯片上,此外,还集成了VCO环路滤波器和LDO稳压器。   比较图1和图2,发现图2中不再含有射频声表面波(RF SAW)滤波器。对于此,Doug表示,实际上,还没有哪一家制造商提出在其 射频集成电路中集成了声表面波滤波器(SAW)。原因是SAW滤波器不是采用硅集成电路工艺制作的,因此必须在射频集成电路外面。在可能采用新的电路架构的地方,消除SAW滤波器是大多数新型射频集成电路设计的目标。公司的第一代TD-SCDMA器件差不多是3年前推出的,它要求在发射与接收信号路径都要求外部RF SAW滤波器。不过,“Othello-3”系列收发器采用某些新的电路架构,省去了所有的RF SAW滤波器,无论发射器还是接收器。      在工艺方面,AD6541与AD6547是BiCMOS器件,芯片尺寸较小,因此成本合理;AD6552 单片收发器是CMOS器件,成本较低。AD6547接收器和新的AD6552收发机都采用零-中频(ZERO-IF)架构。零-中频架构在手机收发机中通常是首选的,因为它省却了对中频信道滤波器的需求,中频信道滤波器是超外差式接收器必需的。关于TD射频芯片未来的发展趋势,Doug认为这取决于TD-SCDMA的市场应用,在未来可能要求增加额外模式(例如GPRS/EDGE或者甚至W-CDMA)。如同我们在GPRS和EDGE等其它标准中看到的一样,持续地降低成本、功耗和BOM始终是非常重要的,但性能不能打折,而且性能应当一代更比一代强。   相关链接   各种主要的接收器架构的优势与不足   超外差式接收器:优势是性能非常好;缺点是需要分立的中频滤波器(通常是声表面波滤器) 以及额外的本地振荡器,因此,元件数量较多、成本较高而且电路板面积较大。   直接转换(又称作“零-中频”或“零差”):优势是成本、尺寸以及元件数量都有所下降;不足是存在本地振荡辐射以及直流偏移的历史问题。利用良好的电路设计(如内置直流偏移校正电路)以及布线实践,就可以解决这两个问题。   “近零中频”“:优势是它类似于直接转换,而且避免了中频声表面波滤波器;缺点是信道滤波器必须是带通滤波器而不是低通滤波器,因此更加复杂。此外,为了进行信号处理,近零信号必须转换为基带,这也要涉及额外电路。

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