集成电路设计（第4版）课件 3.4-3.5 氧化、淀积与刻蚀.ppt

* 3.1 外延生长 3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。 第3章 集成电路基本工艺 * 图3.12 场氧 除了作为栅的绝缘材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作为保护层。在器件之间的区域，也可以生成一层称为“场氧”（FOX）的厚SiO2层，使后面的工序可以在其上制作互连线。 3.4 氧化 * 3.1 外延生长 3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。 第3章 集成电路基本工艺 * 3.5 淀积与刻蚀 器件的制造需要各种材料的淀积。这些材料包括多晶硅、隔离互连层的绝缘材料以及作为互连的金属层。 刻蚀的作用: 制作不同的器件结构，如线条、接触孔、台式晶体管、凸纹、栅等。 被刻蚀的材料: 半导体，绝缘体，金属等。 刻蚀的两种方法： 湿法和干法 * 湿法刻蚀 首先要用适当(包含有可以分解表面薄层的反应物)的溶液浸润刻蚀面，然后清除被分解的材料.。如SiO2在室温下可被HF酸刻蚀。 湿法刻蚀在VLSI制造中的问题: 接触孔的面积变得越来越小, 抗蚀材料层中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效的浸润。 是被分解的材料不能被有效的从反应区的小窗口内清除出来。 * 干法刻蚀—分为：等离子体刻蚀,反应离子刻蚀RIE等 RIE发生在反应炉中，基片(晶圆)被放在一个已被用氮气清洗过的托盘上，然后，托盘被送进刻蚀室中，在那里托盘被接在下方的电极上。刻蚀气体通过左方的喷口进入刻蚀室。RIE的基板是带负电的。正离子受带负电的基板吸引，最终以近乎垂直的方向射入晶体，从而使刻蚀具有良好的方向性。 图 3.12 反应离子刻蚀RIE 王志功