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本发明属于半导体技术领域,公开了一种碳化硅超结结构光刻标记对准的方法,其具体包括以下步骤:步骤S1,制备光刻版,在光刻版上形成第一标记图形和器件标记图形;步骤S2,在碳化硅半导体表面形成第一标记孔和器件沟槽;步骤S3,对碳化硅半导体进行外延回填,将器件沟槽填平,且第一标记孔内部空心;步骤S4,外延薄膜进行化学机械抛光磨平,露出第一标记孔;步骤S5,在碳化硅半导体上器件沟槽位置形成完整的超结碳化硅MOSFET器件。本发明的方法简单,易于加工,可实现光刻标记的精确对准。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116469754 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310431689.2
(22)申请日 2023.04.20
(71)申请人 重庆伟特森电子科技有限公司
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