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本公开的实施例涉及具有暴露的电触点的半导体封装。半导体封装件包括管芯和管芯上的第一层压层，第一层压层具有穿过第一层压层的开口。再分布层在第一层压层上并穿过开口延伸到管芯。多个导电延伸部分位于再分布层上，每个立柱包括再分布层上的第一表面，与第一表面相对的第二表面，以及第一表面和第二表面之间的侧壁。第二层压层在再分布层和第一层压层上，管芯封装在模制化合物中。去除导电延伸部周围的第二层压层，以暴露第二表面和每个立柱的侧壁的至少一部分，从而在将封装安装到电路板时提高焊接结合强度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116469861 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310062178.8
(22)申请日 2023.01.18
(30)优先权数据
63/301,438 2022
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