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本发明公开了一种基于挠曲电效应和光电效应增强的MESFET器件;该器件包括激光光源、硅基底、绝缘层、金属栅电极、二维半导体层、第一源漏电极和第二源漏电极。绝缘层设置在硅基底上;金属栅电极和二维半导体层设置在绝缘层上,且二维半导体层覆盖金属栅电极。第一源漏电极和第二源漏电极设置在二维半导体层上,且分别位于金属栅电极的相反侧。激光光源朝向二维半导体层。第一源漏电极和第二源漏电极均包括电极主体。第一源漏电极和/或第二源漏电极的电极主体上设置有多个下压针尖。下压针尖的尖端朝向二维半导体层。本发明利用挠曲
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116466126 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310463021.6 G01L 1/24 (2006.01)
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