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新型高压沟槽SOI—LDMOS的研究
摘要 SOI-LDMOS是一种新型的高压沟槽降阻MOSFET。在本文中，我们将利用有限元方法，对SOI-LDMOS的特性进行深入研究。具体来说，我们研究了SOI-LDMOS的硅厚度、沟槽深度、沟槽宽度等结构参数对器件特性的影响，并进行了详细的分析。研究结果表明，SOI-LDMOS能够实现更高的开关速度、更低的导通电阻和更低的开关损耗。因此，SOI-LDMOS有望在高压、高速、高频等领域得到广泛应用。 关键词：SOI-LDMOS；有限元方法；高压；降阻；硅厚度；沟槽深度；沟槽宽度；开关速度；导通电阻；开关损耗 正文 引言 现代电子设备需要更高的工作
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