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本发明涉及复合砖制备技术领域，具体是涉及一种低氧铜杆生产用氧氮化硅‑碳化硅复合砖的制备方法，包括以下步骤：S1、制备第一原料，S2、制备第二原料，S3、制备第一混合料，S4、烧制氧氮化硅‑碳化硅复合砖；本发明方法通过第一原料与第二原料在模具中组合，解决了窑炉内层砖块因受窑炉气体的侵蚀以及频繁高温老化易出现的剥落和掉渣情况，并且提高了氧氮化硅‑碳化硅复合砖的保温隔热性能；通过添加复合烧结助剂能够促进氮化硅的结合，使复合砖坯料的烧结更加致密化，并且有效提升氧氮化硅‑碳化硅复合砖的力学性能，增强氧氮化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116396084 A
(43)申请公布日 2023.07.07
(21)申请号 202310269755.0 C04B 35/80 (2006.01)
(22)申请日 2023.03.
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