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本发明提供一种低温磁性超导混合存储单元及存储器,存储单元包括:串联设置或并联设置的电压调控磁各向异性磁隧道结及超导纳米线低温管;电压调控磁各向异性磁隧道结包括依次叠置的参考层、势垒层及自由层;超导纳米线低温管为三端器件,包括沟道端、源端及漏端,于沟道端施加栅电流用于控制沟道端电阻的变化,以使超导纳米线低温管实现具有门控功能的逻辑开关。通过将电压调控磁各向异性磁隧道结及超导纳米线低温管结合形成存储单元,充分结合了两者的优势,同时考虑两者工艺上的兼容性,可显著提高现有存储单元的读写速度(具有亚纳秒写
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764459 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111045202.4
(22)申请日 2021.09.07
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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