半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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一种半导体结构及其形成方法,包括:提供衬底,所述衬底上具有鳍部;在所述鳍部内形成若干外延掺杂层;在所述鳍部内形成扩散区,所述扩散区包围所述外延掺杂层;在所述衬底上形成介质层,位于所述介质层内具有第一开口;在所述鳍部内形成第二开口,刻蚀工艺对所述鳍部的刻蚀速率大于对所述扩散区的刻蚀速率。由于所述刻蚀的工艺对所述扩散区和所述鳍部的刻蚀速率不同,因此,所述刻蚀的工艺在刻蚀所述鳍部时,能够较小的对所述扩散区造成的刻蚀损伤,由于所述扩散区包围所述外延掺杂层,进而在刻蚀所述鳍部时能够避免对所述外延掺杂层的刻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764273 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 20201

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