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本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一基底上依次沉积第二基底和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再以非曝光区的光刻胶为掩蔽层，对曝光区的第二基底进行刻蚀，刻蚀完成后，去除非曝光区的残余光刻胶；(4)然后在第二基底表面涂覆黑色光刻胶；(5)对上述样品进行刻蚀，使样品表面暴露出非曝光区的第二基底；(6)再用溶剂溶解非曝光区的第二基底，得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法工艺简单，理论上可制备任意深宽比、微米级线宽的黑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113433795 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110699716.5
(22)申请日 2021.06.23
(71)申请人 南方科技大学
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