- 1、本文档共9页,其中可免费阅读8页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
本发明涉及铜互连工艺技术领域,具体涉及一种铜互连结构及其制备方法。该结构包括:介质层,其表面设有沟槽;氮化钽阻挡层、衬垫层和铜种子层叠置在所述介质层上,以阻挡所述铜种子层中的铜向所述介质层扩散;所述沟槽位于所述氮化钽阻挡层下方。本发明采用氮化钽作为阻挡层,减少了阻挡层的厚度,采用铜种子层替代传统工艺中的电镀铜和种子层,精简了铜互连结构,同时衬垫层的加入,提高了铜种子层的成核率,提高了铜种子层的可靠性,从而在保证铜互连结构的可靠性的前提下,降低了铜互连结构的电阻率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380763 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110524519.X
(22)申请日 2021.05.13
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
文档评论(0)