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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备,制备方法包括:提供衬底层;在所述衬底层表面形成绝缘层;在所述绝缘层表面形成栅极;将所述衬底层的预设区域刻蚀,形成两个空缺区域;所述预设区域为所述栅极在所述衬底层表面投影的外侧区域,所述空缺区域的深度大于所述衬底层的顶层硅厚度;在所述两个空缺区域内形成源极和漏极。本发明提供的半导体器件及其制备方法、电子设备,可以提升半导体器件的散热性能,提高载流子的迁移率,并提高器件可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380626 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110524516.6
(22)申请日 2021.05.13
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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