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2023-06-20 发布于四川
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提供能在高温环境下或被放射线照射环境下使用且实现了常截止动作的通用性高的场效应晶体管及其设计方法。场效应晶体管(1)具备：Ga2O3系半导体层(2)；源极区域(3)和漏极区域(4)，其形成于Ga2O3系半导体层(2)的内部；栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)形成在沟道区域(5)上，沟道区域(5)是源极区域(3)与漏极区域(4)之间的Ga2O3系半导体层(2)；源极电极(8)，其连接到源极区域(3)；以及漏极电极(9)，其连接到漏极区域(4)，在场效应晶体管(1)中，在栅极电极(7)与沟道区域

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314596 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110218905.6 H01L 21/336 (2006.01) (22

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