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本发明涉及一种高功率密度IGZO薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:第一基底、第二基底;第二基底位于第一基底上;栅电极,位于所述第二基底上;第一层栅介电层位于所述栅电极之上的一端;第二层栅介电层位于所述栅电极之上,其一端覆盖住第一层栅介电层,二者构成“阶梯型”栅介电层;铟镓锌氧化物IGZO有源层,位于所述“阶梯型”栅介电层上并覆盖住第一层栅介电层和第二层栅介电层;第一源电极、第二漏电极,位于铟镓锌氧化物IGZO有源层上相对两侧,其中第二漏电极位于第一层栅介电层之上方一侧,第一源电极位于远离第一层栅介电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270479 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110544979.9
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 东南
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