配套第12章存储器和可编程逻辑器件.pptx

配套第12章存储器和可编程逻辑器件;这类电路的特点：器件密度高，逻辑功能可由软件配置，用它所构成的数字系统硬件规模小，系统灵活性高。;ASIC分类： ASIC属用户定制电路。（Custom Design IC).包括全定制和半定制两种。; 在硅片上预先做好大量相同的基本单元电路，并把它整齐地排成阵列，这种半成品芯片称为母片。母片可由厂家大批量生产。;㈡ 可编程逻辑器件(PLD) (Programmable Logic Device);2. 门电路表示法;;3. 阵列图;12.2 存储器 ;12.2.1 ROM (Read-Only Memory);地址译码器为二进制译码器,即全译码结构.(地址线为n根,译码器输出为2n根字线,说明存储阵列中有2n个存储单元);3) 存储器的容量定义为: 字数×位数(2n×m).;;① W0~W3为地址译码器的输出 Wi=mi (mi为地址码组成 的最小项）;③ 将地址输入和Fi之间的关系填入真值表得：;④ 阵列图;2.可编程只读存储器;2)EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory);一个EPROM芯片：Intel 2716;工作方式;3）E2PROM(电可擦可编程只读存储器）;F1(A,B,C)=Σm(1,5,6,7);;2) 存放数据表和函数表:例如三角函数、对数、乘法等表 格。;12.2.2 随机存取存储器(RAM);1. RAM的结构;当片选信号CS无效时,I/O对外呈高阻; 当片选信号CS有效时,由R/W信号决定读或写,根据 地址信号,通过I/O输出或输入.(I/O为双向三态结构);2. RAM的存储单元;Xi;2) 动态RAM的基本存储电路;电路结构（以单管动态存储单元为例）;特点： 1）当不读信息时，电荷在电容CS上的保 存时间约为数毫秒到数百毫秒； ;结论：1）需加刷新电路；;3) RAM容量的扩展;②字扩展;12.3 可编程逻辑器件（PLD); 根据与、或阵列的可编程性，PLD分为三种基本结构。;3）或阵列固定，与阵列可编程型结构;12.3.1 可编程阵列逻辑(PAL);1. PLA的输出结构;② 可编程I/O结构;① 寄存器输出结构;②带异或门的寄存器输出结构;③ 算术运算反馈结构;;PAL的结构代码;用PAL实现2×2乘法器（输入A1A0和B1B0分别为两位二进制数，输出为结果F3F2F1F0的反码。;;3.PAL器件的性能特点;㈥具有加密功能，有利于系统保密；;12.3.2 通用阵列逻辑(GAL);;OLMC 结构;AC0、AC1(n)及XOR(n)均为GAL器件片内控制字中的结构控制位。结构控制字共有82位，不同的控制内容，可使OLMC被配置成不同的功能组态。;12.3.3 PLD的开发过程配套第12章存储器和可编程逻辑器件;这类电路的特点：器件密度高，逻辑功能可由软件配置，用它所构成的数字系统硬件规模小，系统灵活性高。;ASIC分类： ASIC属用户定制电路。（Custom Design IC).包括全定制和半定制两种。; 在硅片上预先做好大量相同的基本单元电路，并把它整齐地排成阵列，这种半成品芯片称为母片。母片可由厂家大批量生产。;㈡ 可编程逻辑器件(PLD) (Programmable Logic Device);2. 门电路表示法;;3. 阵列图;12.2 存储器 ;12.2.1 ROM (Read-Only Memory);地址译码器为二进制译码器,即全译码结构.(地址线为n根,译码器输出为2n根字线,说明存储阵列中有2n个存储单元);3) 存储器的容量定义为: 字数×位数(2n×m).;;① W0~W3为地址译码器的输出 Wi=mi (mi为地址码组成 的最小项）;③ 将地址输入和Fi之间的关系填入真值表得：;④ 阵列图;2.可编程只读存储器;2)EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory);一个EPROM芯片：Intel 2716;工作方式;3）E2PROM(电可擦可编程只读存储器）;F1(A,B,C)=Σm(1,5,6,7);;2) 存放数据表和函数表:例如三角函数、对数、乘法等表 格。;12.2.2 随机存取存储器(RAM);1. RAM的结构;当片选信号CS无效时,I/O对外呈高阻; 当片选信号CS有效时,由R/W信号决定读或写,根据 地址信号,通过I/O输出或输入.(I/O为双向三态结构);2. RAM的存储单元;Xi;2) 动态RAM的基本存储电路;电路结构（以单管动态存储单元为例）;特点： 1）当不读信息时，电荷在