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第8讲_主存储器 计算机组成原理Principles of Computer Organization广义双语教学课程 青岛理工大学 校级精品课程  09/skyclass25//ec/C84/  第4章 主 存 储 器Chapter 4 Main MemoryA word in memory is an entity of bits that move in and out of storage as a unit. A memory word is a group of 1’s and 0’s and may represent a number, an instruction code, one or more alphanumeric characters, or any other binary-coded information. A group of eight bits is called a byte.  4.1 主存储器分类、技术指标和根本操作 现代计算机的主存储器都是半导体存储器IC。Static RAM  双极型  随机(读写)存储器 Random Access Memory (RAM)只读存储器 Read Only Memory (ROM)  MOS型  SRAM SRAM  保存信息的原理： SRAM:触发器 DRAM:MOS管 的栅极电容。  DRAMDynamic RAM  掩膜ROM PROM 可编程序只读存储器 EPROM 可擦除的可编程序只读存储器  E2PROM 电可擦除的可编程序只读存储器 Flash Memory 快闪存储器(电可擦除) 半导体RAM在断电后数据会丧失，属于易失性(Volatile)存储器 只读存储器属于非易失性(Non-volatile)存储器。  主存储器的主要技术指标 主存储器用于临时存储CPU当前正在使用的指令和数据。 1、存储容量 Memory Size / Capacity  主存储器容量 SM = W l m=存储器字长每个存储体的字数并行工作的存储体个数 容量单位：字节Byte,字Word,位bit。 1 Byte =8 bit 1M=220 =1024K=210 K 1G=230 =1024M=210 M 1T =240 =210 G 主存储器的可寻址的最小信息单位是1个存储字(存储单元)。 存储单元 Memory Location 可寻址单元 Addressable Location 存储器的容量通常表示为：m字k位。 例如，1个409632的存储器芯片的容量就是 16 KB。  地址空间 Address Space  CPU的地址线  2、存取速度 ⑴ 存取时间Ta (访问时间， Memory Access Time ) 从启动一次存储器操作到完成该操作所经受的时间。 取决于存储器芯片 ⑵ 存储周期 Tm (读写周期，Memory Cycle Time) 连续启动2次独立的存储器操作所间隔的最小时间。 一般Tm Ta ⑶ 主存带宽Bm 由系统规定  Bm是存储器被连续访问时可以供应的数据传输率(bit/s) Bm= W/Tm 当总线宽度w与存储器字长W不全都时，Bm= w / Tm 提高主存带宽的措施：  缩短存取周期，增加存储字长W,增加存储体。  主存储器的根本操作 处理器R/W  地址存放器AR  数据存放器DR  地址总线 数据总线 掌握总线  主存储器  主存储器的读写时序 1.存储器读的时序 处理器把要访问的存储单元地址送上地址总线，发存储器读命令 存储器读周期 Address  地址总线AB  CSData  数据总线DB  R /W被选中的存储器芯片对地址译码，翻开三态门将选中的单元 内容送上数据总线DB,处理器从DB读入数据。  2.存储器写的时序 处理器把  要访问的存储单元地址送上地址总线AB,把要写 的数据送上数据总线DB,发存储器写命令。 存储器写周期 Address 地址总线AB  CSData 数据总线DB  R /W被选中的存储器芯片对地址译码，将DB上的数据写入选中的 存储单元。  半导体存储器芯片 存储器芯片内部： 地址线条数N, 可寻址2N单元 Row Address A1 A1 A0 44 存储矩阵0