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第29页，共52页，编辑于2022年，星期三 一、8086CPU的管脚及功能 8086是16位CPU。它采用高性能的N—沟道，耗尽型负载的硅栅工艺(HMOS)制造。由于受当时制造工艺的限制，部分管脚采用了分时复用的方式，构成了40条管脚的双列直插式封装 5.3、8086CPU总线产生 第30页，共52页，编辑于2022年，星期三 第31页，共52页，编辑于2022年，星期三 二、8086的两种工作方式 最小模式：系统中只有8086一个处理器，所有的控 制信号都是由8086CPU产生。 最大模式：系统中可包含一个以上的处理器，比如 包含协处理器8087。在系统规模比较大 的情况下，系统控制信号不是由8086直 接产生，而是通过与8086配套的总线控 制器等形成。 第32页，共52页，编辑于2022年，星期三 三、最小模式下8086CPU总线产生 （一）、地址线、数据线产生 相关信号线及芯片 1、AD15～AD0 (Address Data Bus) 地址/数据复用信号，双向，三态。在T1状态（地址周期）AD15～AD0上为地址信号的低 16位A15～A0；在T2 ～ T4状态（数据周期） AD15～AD0 上是数据信号D15～D0。 第33页，共52页，编辑于2022年，星期三 2、A19/S6～A16/S3 (Address/Status)： 地址/状态复用信号，输出。在总周期的T1状态A19/S6～A16/S3上是地址的高4位。在T2～T4状态，A19/S6～A16/S3上输出状态信息。 第34页，共52页，编辑于2022年，星期三 机器周期：时钟周期 总线周期：对内存或对I/O接口的一次操作的时 间 指令周期：指令执行的时间 第35页，共52页，编辑于2022年，星期三 MOV [2000H], AX 地址周期 数据周期 第36页，共52页，编辑于2022年，星期三 S4 S3 当前正在使用的段寄存器 0 0 ES 0 1 SS 1 0 CS或未使用任何段寄存器 1 1 DS 第37页，共52页，编辑于2022年，星期三 3、三态缓冲的8位数据锁存器74LS373 (8282) 第38页，共52页，编辑于2022年，星期三 第39页，共52页，编辑于2022年，星期三 A、CP正脉冲，D?Q B、CP为零，保持 C、/OE=0，O0输出；否则高阻 第40页，共52页，编辑于2022年，星期三 存储器原理与接口 第1页，共52页，编辑于2022年，星期三 5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 第2页，共52页，编辑于2022年，星期三 按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 串行访问存储器(Serial Access Storage) 第3页，共52页，编辑于2022年，星期三 按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 第4页，共52页，编辑于2022年，星期三 二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM 第5页，共52页，编辑于2022年，星期三 二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM （ECL，TTL，MOS） b. 动态RAM 第6页，共52页，编辑于2022年，星期三 2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E2PROM等 第7页，共52页，编辑于2022年，星期三 绝缘层 浮动栅雪崩注入式MOS管 可用紫外线擦除、可编程的EPROM 第8页，共52页，编辑于2022年，星期三 编程 使栅极带电 擦除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。 一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除。 第9页，共52页，编辑于2022年，星期三 浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米以下），称为隧