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GaN极性及热导率特性研究
摘 要
就在这里面增加大背景，比如5G，然后最后引导你的GaN不同热导率的研究意义。在一定温度范围内，导热系数 变化的半导体对于功率器件的制造具有重要意义。本文采用实验和理论相结合的方法研究了c面和a面GaN的热导率。
研究了不同面的GaN的热导率及其物理机制。首先，利用脉冲激光沉积法将蓝宝石衬底上外延生长了300 nm厚度 的c面和a面GaN薄膜。研究发现在298 ~ 773 K的特定温度范围内，c面GaN和a面GaN的导热系数不同。c面GaN的导热 系数从298 K时的23.306 W/(mK)持续下降到773 K时的9.798 W/(mK)，而a面GaN
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