缓变基区晶体管电流放大系数.ppt

;P; 本节求基区输运系数 的思路; 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 ; 在实际的缓变基区晶体管中， 的值为 4 ~ 8 。 ; 因为 ， ，所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用，是 加速场 。; 将基区内建电场 E 代入电子电流密度方程，可得注入基区的少子形成的电流密度（其参考方向为从右向左）为; 上式实际上也可用于均匀基区晶体管。对于均匀基??晶体管，NB 为常数，这时; 下面求基区少子分布 nB (x) 。; 对于均匀基区，; 对于缓变基区晶体管，当 较大时，上式可简化为;; 3.3.4 注入效率与电流放大系数; 类似地，可得从基区注入发射区的空穴形成的电流密度为;; 3.3.5 小电流时电流放大系数的下降; 当电流很小时，相应的 VBE 也很小，这时 很大，使 γ 减小，从而使 α 减小。; 随着电流增大， 减小，当 但仍不能被忽略时，; 当电流很大时，α 又会开始下降，这是由于大注入效应和基区扩展效应引起的。; 3.3.6 发射区重掺杂的影响; 对于室温下的硅 ，; 发射区禁带变窄后，会使其本征载流子浓度 ni 发生变化，;NE 增大而下降，从而导致 α 与 β 的下降。; (2) 俄歇复合增强; 2、基区陷落效应 当发射区的磷掺杂浓度很高时，会使发射区下方的集电结结面向下扩展，这个现象称为 基区陷落效应。; 3.3.7 异质结双极晶体管（HBT）