LTPS-CVD工艺设备介绍(超详细).pptx

CVD工艺设备介绍;CVD工艺设备介绍;一、CVD的概念、特点 ;一、CVD的概念、特点;（1）成膜速度快 每分钟可达几个μm甚至达到数百μm。同一腔室中可放置大量工件，能同时制得均匀的镀层; （2）膜层均匀性好 CVD反应在低真空进行，镀膜的均匀性好，对于形状复杂表面或工件深孔、细孔都能均匀镀覆，获得平滑的沉积表面; （3）膜层性能好 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。;一、CVD的概念、特点;CVD工艺设备介绍;PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) (等离子体增强化学气相沉积) 借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性强，促进气体间的化学反应，从而低温下也能在基片上沉积出所期望的薄膜。 工作原理: 它是一种化学气相生长法； 它所需要的是含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体； 它所需要的条件是加热、等离子体等； 采用等离子辅助是对化合物进行催化分解。 目的: 利用等离子体辅助活化反应气体，降低反应温度，改善薄膜质量。;2、Plasma定义及获得;;分子到达glass表面;;F+SiO2→SiF4+O;Nitride: SiH4+NH3+N2→ SiNx:H Oxide: SiH4+N2O → SiOx:H a-Si: SiH4(+H2) → a-Si:H;CVD工艺设备介绍;温度 气体流量比 (Si:H,N:H,Si:N) RF power Pressure Spacing (上下电极间距);温度升高，可以提高气体的表面迁移率，降低基片表面过剩硅原子，同时Si-H键在400℃以上会大量断裂，减少薄膜氢元素含量，使薄膜内应力越正，并且造成Si/N摩尔比增加，导致致密性&绝缘性增强。;氮化硅具有极高的电阻率，当SiH4/NH3比增加时，薄膜内Si含量增加，折射率增大，而Si-Si大量增加，会导致电阻率下降，绝缘性变差； 决定沉积速率的通常是SiH4的浓度，随着SiH4/NH3比的增加，SiH4浓度增加，沉积速率增加；;射频功率对沉积速率的影响;4、Pressure;5、Spacing;CVD工艺设备介绍;四、CVD膜层介绍;;四、CVD膜层介绍;四、CVD膜层介绍;四、CVD膜层介绍;四、CVD膜层介绍;CVD工艺设备介绍;五、CVD薄膜质量评价;五、CVD薄膜质量评价; 2.厚度（Thickness） ; 5.厚度均匀度（uniformity); 6.应力（Stress） ;按力的方向分类： 张（正）应力——使材料拉伸方向的应力，方向定义为正（Tensile+）； 压（负）应力——使材料压缩方向的应力，方向定义为负（Compressive-）；; 7.氢含量（Hydrogen） ; 9.介电常数（k);CVD薄膜质量评价;CVD工艺设备介绍;六、CVD设备简介;AKT CVD机台 ，每台机台均有一个DSSL（2层）、一个Transfer Chamber以及若干process chamber。;CVD glass process monitor;;Transfer chamber 介绍 Transfer chamber 简称为TC 为AKT CVD机台的传送腔室。每个机台有一个TC。 Transfer chamber的作用 在真空的环境下完成真空机械手臂从Loadlock取片并将其放入到Process chamber中，并将Process chamber 中镀膜完成的基板取出放入Loadlock中。 View port：用来观察基板的状态、位置是否放好 破片侦测sensor;六、CVD设备简介;六、CVD设备简介;;RPSC;六、CVD设备简介;Susceptor: 是反应的下电极，是接地的。它主要作用是给玻璃基板提供一个沉膜平台及提供给玻璃基板制程所需的温度。;Pin;谢谢