电工学第二讲.ppt

复习： (1)本征半导体中有两种载流子导电，自由电子和空穴，但载流子数目极少, 其导电性能很差。温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。 (2)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (3)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。 (4)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 14.3 半导体二极管 半导体二极管实物图片 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 ,? 半导体三极管应用 作业 习题 第六版：P29 14.4.2 14.5.4 第七版：P34 14.4.4 14.5.9 4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。 5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 6.特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。 7.有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 例1 今测得放大电路中一个三极管的各极对地电位分别为-1V，-1.3V，-6V，试判别三极管的三个电极，并说明是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型。 例2 已知放大电路中一个三极管的各极对地电位 分别为 2.3V，3V，6V，试判别管子的类型、管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管。 NPN型各极电位： VC VBVE 集电极电位最高 VE VBVC 发射极电位最高 PNP型各极电位： 硅管： 锗管： 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 UBC﹤0 UBE﹥0 对于NPN型管而言，应使 UCE ﹥ UBE 此时 (1) 放大区特征 a. 的微小变化会引起 的较大变化； b. , 是由 和 决定的； c. , ; d. 晶体管相当通路。 N P N B E C RC UCC UBB RB IE IC IB IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 截止区 2. 截