失效分析定位技术在集成电路制造中的应用以及对产品良率的提升-电子与通讯工程专业论文.docxVIP

论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中除 论文独创性声明 本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中除 了特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或其它枫构已经发表或撰写过的 研究成果。其他同志对本研究的启发和所做的贡献均已在论文中作了明确的声明 并表示了谢意。 作者签名 日期： 如∥店、文 论文使用授权声明 本人完全了解复旦大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留 送交论文的复印件，允许论文被查阅和借阅：学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。保密的论文在解密后遵守此 作者签名 缝!邋场 导师签名：避日期： 规定。 &∞6．fa、良 摘要 摘要 在现代IC失效分析领域中，如何既快速又准确的进行失效定位是一个重要 的课题。 本文主要研究了以下三方面的失效定位技术： 1． 利用OBIRCH对Ic金属化系统失效进行定位的技术，包括金属铝系统电 迁移失效定位和金属化系统短路点的失效定位。 2． 利用PEM对Ic单元器件失效进行定位的技术，包括利用FIB制作附加 Pad的技术， 能有效的解决判别芯片局部区域的失效问题。 3． 利用FIB Vc技术快速精确定位IC集成电路开路点失效的技术。 本文第一章首先介绍了失效分析的产生与发展，失效分析的目的和意义，失 效分析的基本内容，并着重介绍了失效定位技术在失效分析技术中的重要性。 第二章介绍了oBIRcH的原理以及利用0BIRCH有效定位IC金属化系统失效 的方法，阐述了金属铝系统电迁移失效定位技术和对金属化系统短路点的失效定 位技术。 第三章介绍了PEM的原理以及利用PEM有效定位Ic器件失效的方法，同时 阐述了利用FIB制作测试信号输入Pad的技术。 第四章介绍了VC技术的原理，比较了SEM的VC和FIB的VC的优缺点，阐 述了利用FIB VC技术精确定位IC集成电路开路点失效的技术。 第五章对论文做全面的总结，并对失效分析这门技术作展望。 关键词： 失效定位， OBIRCH，PEM， VC AbstractFault Abstract Fault localization technology has alwayS been a key topic in the failure analysis field． The scope oftllis dissertation indudes me below fault localization techno王。舀es 1．The IC metallization fault localization techⅡology using OBIRCH，includillg methods of electromigration failure isOlating Of aluminum inter∞nnect system and shon-circuit positioniIlg of metal interc0肌ects． 2．The IC device fault localization techn0109y using PEM，including the test impulse i印ut pad fo珊ation technology takjng advantagc of FIB． 3．ne technology of fast faun localization 0f1C叩en—circuit failure using F】B VC method． Chapter 1 gives a basic in仃oduction to the conc印ts，purpose，general procedure， iIIlponaIlce andhistory Of伽ure allalysis．1his ch印ter also presents the role of fault localiz ation techn0109ies in failure analysis． Chapter 2 intmdu∞s the principle Of OBmCH aIld the technology of Ic mctaUization fallIt localization technology using 0BmCH tools，and presents tlle methods of eledromi笋ation failure isolatjng of aluminum intercoIlnect system a11d short-circuit positioning of metal i