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MOSFET雪崩特性及电源案例解析 陈桥梁 西安龙腾新能源科技发展有限公司 MOSFET雪崩能力 雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值 单次雪崩能量EAS ：一次性雪崩期间所能承受的能量， 以Tch<=150℃ 为极限 重复雪崩能量EAR ：所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量， 以Tch<=150℃ 为极限 单次雪崩 重复雪崩 2 MOSFET雪崩能力 雪崩能力 雪崩电流 雪崩能量 IAS ，IAR EAS ，EAR 寄生BJT导通，MOSFET 趋 MOSFET局部元胞过热损 于开通。 坏。 MOSFET DIE雪崩损坏 • Source CT bottom burn out 抗雪崩能力测试电路 TJM–TC = PDM*ZθJC (t) MOSFET雪崩能量和温升的关系 V =650V V =650V AV AV T =25℃ T =25℃ starting starting 雪崩能量和初始结温以及电流的关系 ≠ 恒定值 雪崩电流和雪崩时间的关系 Tav* ≈ 恒定值 MOSFET雪崩电流路径及影响 不同类型MOSFET雪崩参数比较 FDP10N60NZ TK11A65D TK12A60U TK12A60W 雪崩电流IAR 10 11 12 3 多次雪崩能量EAR 18.5 4.5 3.5 mJ 单次雪崩能量EAS 550 506 69 180 mJ 单次雪崩测试条 VDD=50V, VDD=90V, VDD=90V, VDD=90V, 件 Tc=25Deg, Tc=25Deg, Tc=25Deg, Tc=25Deg, L=11mH, L=7.4mH,