H和Ar11激发Si的K壳层X射线发射研究-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 8 (2013) 083201 H 和Ar11 激发Si 的K 壳层X 射线发射研究* 1 1† 1 1 1 1 1 1 周贤明 赵永涛 程锐 王兴 雷瑜 孙渊博 王瑜玉 徐戈 1 2 2 2 2 1 任洁茹 张小安 梁昌慧 李耀宗 梅策香 肖国青 1) ( 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000 ) 2) ( 咸阳师范学院物理与电子工程学院, 咸阳 712000 ) ( 2012年11月21 日收到; 2012年12月19 日收到修改稿) 测量了50—250 keV H 和 1.0—3.0 MeV Ar11 轰击Si 表面过程中辐射的X 射线. 结果表明, 在Ar11 入射 的情况下, 引起了Si 的L 壳层上3, 4 个电子的多电离. 计算了Si 的K 壳层X 射线产生截面, 并将两体碰撞近似 (BEA), 平面波恩近似, ECPSSR 理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR 理论与质子产生的截面数据能够很好地符 合; 而考虑多电离后, BEA 理论与Ar11 的实验结果符合较好. 关键词: X 射线, 高电荷态重离子, 多电离 PACS: 32.30.Rj, 34.80.Dp, 79.20.Rf DOI: 10.7498/aps.62.083201 approximation, BEA)9 , 平面波恩近似 (plane wave 1 引言 born approximation, PWBA) 10 和ECPSSR (energy- loss coulomb-repulsion perturbed-stationary-state rel- 带电离子入射到固体表面会引起靶原子内壳 11 ativist) 模型 来描述. 特别是ECPSSR 模型, 它在 层的电离, 相应空穴的退激伴随着X 射线和俄歇电 PWBA 的基础上加入了炮弹离子的能量损失(E )、 子的发射1−3 . X 射线辐射测量是研究离子原子碰 库仑偏转(C)、靶原子轨道电子的微扰处理(PSS) 45 撞过程的一种重要方法 . 在高电荷态重离子与 和电子质量相对论调整(R) 等修正, 对于轻离子和 原子碰撞时, 伴随着K 壳层电子的电离, L 以及更 中高能重离子引起内壳层的电离给出了比较准确 外壳层会发生多电离. 多电离原子发射的特征X 射 的预言. 在Z 1 ≈ Z2 的对称碰撞系统中, 电子转移 线具有更高的能量和更大的展宽. 另外, 由于外壳 在内壳层空穴的产生过程中占主导地位, 准分子模 层电子的多电离, 俄歇跃迁和Coster-Kronig 跃迁的 型(quasi-molecu