硅通孔尺寸几何术语(送审稿).docVIP

ICS31.120 L XX 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T XXXX—XXXX 硅通孔几何测量术语 Geometric Terms of Through siliconVia （送审稿） 201X- XX - XX发布 201X- XX - XX实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 前言 本标准为《硅通孔几何测量术语》。 本标准由工业和信息化部提出。 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。 本标准主要起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所，工业和信息化部电子四院。 本标准主要起草人：侯芳、吴维丽、尹航。 硅通孔几何测量术语 范围 本标准规定了硅通孔尺寸几何术语和定义。 本标准适用于硅通孔工艺的生产和使用。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 SEMI 3D1-0912 Terminology for through silicon via geometrical metrology 硅通孔几何术语及定义 3.1 硅通孔 Through silicon via (TSV) 位于硅晶圆上，且起始于晶圆上表面的孔或者凹坑。可包含也可不包含a)完全从晶圆的一面贯穿至另一面；b)含金属导体；c)包含其他相关层，如位于导体层和硅之间的绝缘层、位于硅表面、孔内部的阻挡层或其它。 3.2 晶圆上表面 wafer top surface 硅通孔的初始位置即硅通孔开始刻蚀位置处的晶圆片表面。该表面定义为水平方向，它的垂线定义为垂直方向。图1所示为位于圆片上表面的硅通孔示意图。 图1晶圆表面的硅通孔示意图 3.3 晶圆下表面 wafer bottom surface 与晶圆上表面相反的晶圆表面。 3.4 面积 area 硅通孔开口处在特定水平面的几何面积。在图1中，硅通孔的面积为深色覆盖部分的面积。 3.4.1 顶部面积 top area 晶圆上表面的硅通孔面积。 3.5 深度 depth 从晶圆上表面出发垂直向晶圆下表面方向测量，位于晶圆上表面到硅通孔最深点的垂直距离。 3.5.1 中间深度 intermediate depth 晶圆上表面至某一选定层的距离，该距离小于硅通孔的全深度。 3.5.2 硅通孔全深度 full depth TSV 硅通孔从晶圆上表面贯穿至晶圆下表面的深度。 3.6 水平尺寸 horizontal dimensions 硅通孔宽度的数值尺寸。 3.6.1 中心 center 硅通孔在任何水平面的几何中心。 3.6.2 弦 chord 3.6.3 主直径 major diameter 在任意特定水平面上硅通孔的最长弦。该直径无需穿过硅通孔的平面几何中心。主直径的长度和硅通孔的面积之间无隐含的关系。图2表示了硅通孔主直径和次直径，尺寸单位通常为微米。 图2硅通孔的主直径和次直径示意图 3.6.3.1 主直径的中心点 center point of the major diameter 位于硅通孔主直径上，与主直径两端等距的点。 3.6.4 次直径 minor diameter 穿过硅通孔主直径中心点的最短弦。如图2所示，根据此定义，硅通孔主直径和次直径无须相互垂直，且次直径和硅通孔的面积之间不存在隐含关系。其单位通常是微米。 3.6.5.1 顶部主直径 top major diameter 位于晶圆上表面被表征和测量的硅通孔主直径。 3.6.5.2 底部主直径 bottom major diameter 位于晶圆下表面被表征和测量的硅通孔主直径。 3.6.5.3 90%深度的主直径 90% depth major diameter 位于硅通孔深度90%的平面上，被表征和测量的硅通孔主直径。 3.6.5.4 顶部次直径 top minor diameter 位于晶圆片上表面被表征和测量的硅通孔次直径。 3.6.5.5 底部次直径 bottom minor diameter 位于晶圆片下表面被表征和测量的硅通孔次直径。 3.6.5.6 90%深度的次直径 90% depth minor diameter 位于硅通孔深度90%的平面上，被表征和测量的硅通孔次直径。 3.7 关键尺寸 critical dimension（CD） 基于硅通孔不同深度的次直径长度，定义了硅通孔的所有关键尺寸。一旦指定了关键尺寸，即指定了硅通孔测量平面。 3.7.1 顶部关键尺寸 top CD 位于晶圆片上表面硅通孔的关键尺寸（次直径的长度）。 3.7.2 90%