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本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件,包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层,以及RDL层;多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布;金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁,金属化层位于任意相邻两个芯片之间的部位均形成凹槽,每个凹槽内均设有填充料;RDL层设于绝缘布线层,且具有与各个凹槽分别对齐的多个电路图形区域,至少一个电路图形区域与相应凹槽的槽底连接并导通金属化层;其中,各个芯片的背面基于金属化层和填充料形成重构平面。本发明提供的金属化结构,不仅能够实现多芯片的互联
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073302A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410107344.6H01L23/552(2006.01)
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