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一．论述

1、例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。〔P〕

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第一步：气相成底膜处理，光刻的第一步是清洗、脱水和硅片外

表成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。脱水烘干

以去除吸附在硅片外表大局部水汽。脱水烘干后硅片立即要用六甲基

二硅胺烷〔HMDS〕进展成膜处理，起到粘附促进剂的作用。

第二步：旋转涂胶，成底膜处理后，硅片要立即采用旋转涂胶的

方法涂上液相光刻胶材料。将硅片被固定在真空载片台上，它是一个

外表上有很多真空孔以便固定硅片的平的金属或聚四氯乙烯盘。一定

数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶

图层

第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂

第四步：对准和曝光，把掩膜幅员形转移到涂胶的硅片上

第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进展曝光

后烘培

第六步：显影，在硅片外表光刻胶中产生图形。光刻胶上的可溶

解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片外表。

最通常的显影方法是旋转、喷雾、浸润，然后显影，硅片用去离子水

〔DI〕冲洗后甩干。

第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅

片外表的粘附性

第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题

.z.

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的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足标准要求

2.解释发生刻蚀反响的化学机理和物理机理。〔P〕

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干法刻蚀系统中，刻蚀作用是通过化学作用或物理作用，或者化学和

物理的共同作用来实现的。在纯化学机理中，等离子体产生的反响元

素〔自由基和反响原子〕与硅片外表的物质发生反响。物理机理的刻

蚀中，等离子体产生的能带粒子〔轰击的正离子〕在强电场下朝硅片

外表加速，这些离子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片外表材

料。

3.描述CVD反响中的8个步骤。(P)

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1)气体传输至淀积区域：反响气体从反响腔入口区域流动到硅片外

表的淀积区域；

2)膜先驱物的形成：气相反响导致膜先驱物〔将组成最初的原子和

分子〕和副产物的形成；

3)膜先驱物附着在硅片外表：大量膜先驱物输运到硅片外表；

4)膜先驱物粘附：膜先驱物粘附在硅片外表；

5)膜先驱物扩散：膜先驱物向膜生长区域的外表扩散；

6)外表反响：外表化学反响导致膜淀积和副产物的生成；

7)副产物从外表移除：吸附〔移除〕外表反响的副产物

8〕副产物从反响腔移除：反响副产物从淀积区域随气体流动到反响腔出

口并排出

5.离子注入设备的5个主要子系统。〔P〕

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〔1〕离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

.z.

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注入离子在离子源中产生

〔2〕引出电极〔吸极〕和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离

子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束，离子通过离子源上的

一个窄缝得到吸收。

〔3〕加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要

再加速管中的电场下进展加速

〔4〕扫描系统：扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。

〔5〕工艺室:离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。

二.简答

1.氧化生长